Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Ректор НИТУ МИСИС Алевтина Черникова и другие гости на открытии центра «Выставка «Железно!» в СТИ НИТУ МИСИСсегодня, в 12:31
Ко Дню Защитника Отечества в НИТУ МИСИС прошли торжественные мероприятия